2019年4月9日

侧墙结构及其形成方法

侧墙安排及其产生办法

【明摆着的摘要】本发明物赠送一种侧墙安排及其产生办法,在所述栅媒质层和栅极的安博产生多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;抓去除所述其次侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙私下在清洁,栅极与其余的半导体装置或金属钴私下的电容,照着借款半导体装置的反应速率。,降低质量施加压力消耗。

【明摆着的阐明】侧墙安排及其产生办法

[技术接]
[0001]本发明物关涉半导体创造接,次要地关涉一种侧墙安排及其产生办法。

[环境技术]
[0002]跟随半导体装置特点重要的继续降低质量,在同一事物区域中产生的器件大批增大。,因此在半导体装置私下或栅极A私下的电容。。通常环境下,半导体装置的反应速率次要是由栅推延动机的。 决定了061×7)和打旗语传达推延06137)。,传达推延也崇高的%推延。,我?这是华而不实的的抗力。,F:介电层产生的电容。。当电容适合越来越大时,半导体装置的推延时间较长。,就是,降低质量了半导体装置的反应速率。,同时,电容越大,半导体装置的施加压力亏耗越大。。
〔0003〕请参阅图1。,在持续存在技术中,半导体装置安排包含: ;半导体衬底外面上产生的栅燃烧层20和栅30 ;产生于所述栅燃烧层20于是栅极30安博的侧墙40。
〔0004〕内幕,所述侧墙40的材质通常为充氮硅,其费用较高。,跟随半导体装置密度的增大,半导体装置私下或栅极与CO私下的电容,到何种地步降低质量电容?,借款半导体装置的反应速率,降低质量施加压力消耗便变得本接工匠精密的处理的技术成绩。

[发明物满足的]

[0005]本发明物的出击目标信赖补充一种侧墙安排及其产生办法,它可以增加半导体装置私下的电容或G私下的电容。。
[0006]为了完成上述的出击目标,本发明物赠送一种侧墙的产生办法,包含进展:
[0007]补充半导体衬底,所述半导体衬底上继续地产生有栅媒质层和栅极;
[0008]在所述栅媒质层和栅极的安博产生反正单独结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一其次侧墙,所述其次侧墙说出来源所述第一侧墙私下;
[0009]衰败去除所述其次侧墙,使所述第一侧墙私下涌现清洁。
[0010]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述结成侧墙的号码为1?10个。
[0011]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
[0012]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述第一侧墙的厚度方式是10埃?200埃。
[0013]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述其次侧墙的材质为锗硅。
[0014]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述锗硅的锗原子占10%?90%。
[0015]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述其次侧墙的厚度方式是10埃?200埃。
[0016]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,衰败去除所述其次侧墙运用的放出气体为!101、至此为止、012或此2中间的一种或多种。
[0017]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,在衰败去除所述其次侧墙接近末期的,在所述结成侧墙于是半导体衬底外面产生层间媒质层。
[0018]额外的的,在所述侧墙的产生办法中,所述半导体衬底的材质为硅。
[0019]额外的的,本发明物还赠送一种侧墙安排,采取如上文所述的任性一种办法产生,所述侧墙安排包含:
[0020]半导体衬底;继续地产生在所述半导体衬底上的栅媒质层和栅极;产生在所述栅媒质层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙私下产生有清洁。
[0021]与持续存在技术比拟,本发明物的无益比分次要表现在:在所述栅媒质层和栅极的安博产生多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;抓去除所述其次侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙私下在清洁,栅极与其余的半导体装置或金属钴私下的电容,照着借款半导体装置的反应速率。,降低质量施加压力消耗。

【明摆着的附图】

【附图阐明】
[0022]图1为持续存在技术中半导体装置的安排侧面示意图;
[0023]图2为本发明物一手段例中侧墙产生办法的流程图;
[0024]图3-图7为本发明物一手段例中侧墙产生迅速移动中间的安排侧面示意图。

【详细说明手段方法】
[0025]以下兼备附图和详细说明手段例对本发明物赠送的侧墙安排及其产生办法作额外的详细说明阐明。原因上面阐明和利益销路书,本发明物的优点和特点将更清晰地。需阐明的是,附图均采取充分使单纯的使符合且均运用非精准的除,仅用以便利、清楚地辅佐阐明本发明物手段例的出击目标。
[0026]请充当顾问图2,在本手段例中,赠送一种侧墙的产生办法,包含进展:
[0027]8100:补充半导体衬底100,所述半导体衬底100上继续地产生有栅媒质层200和栅极300,如图3所示;
[0028]内幕,所述半导体衬底可认为单晶硅、多晶体硅或隔离者上硅;所述栅媒质层200的材质为二燃烧硅;所述栅极300可认为多晶体硅栅极或金属栅极。
[0029]8200:在所述栅媒质层200和栅极300的安博产生反正单独结成侧墙,每一组所述结成侧墙均包含第一侧墙400和其次侧墙500,所述其次侧墙500说出来源所述第一侧墙400私下;
[0030]详细说明的,多个所述结成侧墙的产生办法列举如下:
[0031]率先,在所述栅媒质层200和栅极300的安博产生所述第一侧墙400,如图3所示;所述第一侧墙400的材质为充氮硅,其厚度方式是10埃?200埃,像是50埃;
[0032]抓,在所述第一侧墙400的安博产生所述其次侧墙500,如图4所示;所述其次侧墙500的材质为锗硅,内幕,锗硅的锗原子占10%?90%,所述其次侧墙500的厚度方式是10埃?200埃,像是50埃;
[0033]抓,在所述其次侧墙500的安博产生所述第一侧墙400,如图5所示;同一的,所述第一侧墙400的材质为充氮硅,其厚度方式是10埃?200埃,像是50埃;
[0034]抓,在所述第一侧墙400的安博产生所述其次侧墙500,如图6所示;所述其次侧墙500的材质为锗硅,内幕,锗硅的锗原子占10%?90%,所述其次侧墙500的厚度方式是10埃?200埃,像是50埃。
[0035]所述结成侧墙的号码为1?10个,详细说明号码可以根于技术停止选择。
[0036]8300:衰败去除所述其次侧墙500,使所述第一侧墙400私下涌现清洁600,如图7所示;
[0037]内幕,衰败去除所述其次侧墙500运用的放出气体职此之故1、耶012或此2中间的一种或多种;去除所述其次侧墙500接近末期的,所述第一侧墙400私下涌现清洁能作为侧墙;鉴于辨别电媒质的电容率&值辨别,电媒质的&值越小,电容也就越小,而没人住的的&值为1,在自己人吃得过多中最低的,空气的V值为也严厉批评小。运用清洁作为侧墙能很大方式的降低质量栅极与其余的半导体装置或金属连接线私下的电容。
[0038]在本手段例中,在衰败去除所述其次侧墙500接近末期的,在所述结成侧墙于是半导体衬底100外面产生层间媒质层(图未不
[0039]在本手段例中,还赠送一种侧墙安排,采取上述的办法产生,所述侧墙安排包含:
[0040]半导体衬底100 ;继续地产生在所述半导体衬底100上的栅媒质层200和栅极300 ;产生在所述栅媒质层200和栅极300安博的多个第一侧墙400,所述第一侧墙400私下产生有清洁600。
[0041〕 综上,在本发明物手段例补充的侧墙安排及其产生办法中,在所述栅媒质层和栅极的安博产生多个结成侧墙,所述结成侧墙包含第一侧墙和其次侧墙;抓去除所述其次侧墙,使两个紧接着的的第一侧墙私下在清洁,栅极与其余的半导体装置或金属钴私下的电容,照着借款半导体装置的反应速率。,降低质量施加压力消耗。
[0042]上述的仅为本发明物的受优先偿还的权利手段例一三国际,未必对本发明物起到任何的限度局限功能。任何的所属[技术接]的工匠,在不脱本发明物的技术平面图的方式内,对本发明物暴露的技术平面图和技术满足的做任何的使符合的同等交换或修正等变更,均属未脱本发明物的技术平面图的满足的,仍属于本发明物的进行辩护方式执政的。
【利益销路】
1.一种侧墙的产生办法,包含进展: 补充半导体衬底,所述半导体衬底上继续地产生有栅媒质层和栅极; 在所述栅媒质层和栅极的安博产生反正单独结成侧墙,每一所述结成侧墙均包含一第一侧墙和一其次侧墙,所述其次侧墙说出来源所述第一侧墙私下; 衰败去除所述其次侧墙,使所述第一侧墙私下涌现清洁。
2.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述结成侧墙的号码为1?10个。
3.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述第一侧墙的材质为充氮硅。
4.如利益销路3所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述第一侧墙的厚度方式是10埃?200埃。
5.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述其次侧墙的材质为锗硅。
6.如利益销路5所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述锗硅的锗原子占10%?90%。
7.如利益销路5所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述其次侧墙的厚度方式是10埃?200埃。
8.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,衰败去除所述其次侧墙运用的放出气体为!101、或此2中间的一种或多种。
9.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,在衰败去除所述其次侧墙接近末期的,在所述结成侧墙于是半导体衬底外面产生层间媒质层。
10.如利益销路1所述的侧墙的产生办法,其特点信赖,所述半导体衬底的材质为硅。
11.一种侧墙安排,采取如利益销路1至10中任性一种办法产生,所述侧墙安排包含: 半导体衬底;继续地产生在所述半导体衬底上的栅媒质层和栅极;产生在所述栅媒质层和栅极安博的多个第一侧墙,所述第一侧墙私下产生有清洁。
【文档编号】H01L29/423GK104425230SQ201310407966
【公日】2015年3月18日 适用日期:2013年9月9日 留置权日:2013年9月9日
【发明物者】禹国宾 适用人:中芯国际集成电路创造(上海)股份有限公司

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